Kompakter DC-DC-Konverter für Gate Drive-Applikationen
Bild: MSC Technologies GmbHMSC Technologies präsentiert den neuen DC-DC Konverter 17D-18D0618NA3KV von Yuan Dean Scientific (YDS), der speziell für Mosfet & IGBT Gate-Ansteuerungsaufgaben ausgelegt ist. Der 3W-Konverter ist in einem platzsparenden 7 Pin Single-Inline-Gehäuse mit einer Eingangsspannung von 18VDC ± 10% und einem Dualausgang von 18VDC/85mA und -6V/250mA untergebracht. Die Isolationsfestigkeit (primär/sekundär) beträgt 3kV (2s/0,5mA). Im Vergleich zu DC-DC-Konvertern für Standardanwendungen müssen Wandler für Mosfet- und IGBT Gate-Ansteuerungen höhere Anforderungen erfüllen. Unabhängig von der Basistechnologie - Standard-Silizium oder Silizium-Carbid - gelten für die Auswahl der Konverter andere Kriterien: Durch die spezielle Charakteristik der SiC-Transistoren mit sehr niedrigen Durchbruchspannungen ist es für eine schnelle und sichere Abschaltung wichtig, mit einem starken negativen Spannungspuls aus- und mit starkem positiven Puls wieder einzuschalten. Nur so lassen sich die Vorteile der Effizienz der SiC-Technologie auch ausschöpfen. Diese Spannungen muss der Wandler zuverlässig mit der erforderlichen Geschwindigkeit bereitstellen können. Die schnellen dv/dt-Spannungshübe und die hohen Frequenzen in Transistor-Ansteuerschaltungen bedeuten einen höheren Stress für die Wandler verglichen mit Industrie- oder Consumer-Standardanwendungen. Für die Zuverlässigkeit ist es daher notwendig, den Wandler mit niedrigen Koppelkapazitäten und hoher Isolationsspannung zu designen. Besuchen Sie MSC Technologies auf der embedded world 2017 in Halle 2, Stand 238.
MSC Technologies GmbH www.msc-technologies.eu
Bild: MSC Technologies GmbHMSC Technologies präsentiert den neuen DC-DC Konverter 17D-18D0618NA3KV von Yuan Dean Scientific (YDS), der speziell für Mosfet & IGBT Gate-Ansteuerungsaufgaben ausgelegt ist. Der 3W-Konverter ist in einem platzsparenden 7 Pin Single-Inline-Gehäuse mit einer Eingangsspannung von 18VDC ± 10% und einem Dualausgang von 18VDC/85mA und -6V/250mA untergebracht. Die Isolationsfestigkeit (primär/sekundär) beträgt 3kV (2s/0,5mA). Im Vergleich zu DC-DC-Konvertern für Standardanwendungen müssen Wandler für Mosfet- und IGBT Gate-Ansteuerungen höhere Anforderungen erfüllen. Unabhängig von der Basistechnologie - Standard-Silizium oder Silizium-Carbid - gelten für die Auswahl der Konverter andere Kriterien: Durch die spezielle Charakteristik der SiC-Transistoren mit sehr niedrigen Durchbruchspannungen ist es für eine schnelle und sichere Abschaltung wichtig, mit einem starken negativen Spannungspuls aus- und mit starkem positiven Puls wieder einzuschalten. Nur so lassen sich die Vorteile der Effizienz der SiC-Technologie auch ausschöpfen. Diese Spannungen muss der Wandler zuverlässig mit der erforderlichen Geschwindigkeit bereitstellen können. Die schnellen dv/dt-Spannungshübe und die hohen Frequenzen in Transistor-Ansteuerschaltungen bedeuten einen höheren Stress für die Wandler verglichen mit Industrie- oder Consumer-Standardanwendungen. Für die Zuverlässigkeit ist es daher notwendig, den Wandler mit niedrigen Koppelkapazitäten und hoher Isolationsspannung zu designen. Besuchen Sie MSC Technologies auf der embedded world 2017 in Halle 2, Stand 238.
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Dieser Artikel erschien in 06 2017 - 27.02.17.Für weitere Artikel besuchen Sie www.embedded-design.net
